SKC索密思株式会社徐章源获国家专利权
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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115958525B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211222303.9，技术领域涉及：B24B37/22；该发明授权抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法是由徐章源;尹晟勋;郑恩先;安宰仁设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种抛光垫，通过厚度方向的细分结构特性设计，可以向各种抛光对象提供适合各种抛光目的的物理特性，关于使用后的报废，与现有抛光垫不同，在至少一部分结构应用再生或可回收的材料，从而可以实现环保性。具体而言，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层包括：抛光可变层，其具有抛光面，以及抛光不变层，配置在所述抛光可变层的所述抛光面的背面，所述抛光不变层可包括组合物的固化物，所述组合物包含热固化性聚氨酯粒子和粘合剂。
本发明授权抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抛光垫，其中， 包括抛光层， 所述抛光层包括：抛光可变层，其具有抛光面，以及抛光不变层，配置在所述抛光可变层的所述抛光面的背面， 所述抛光可变层和所述抛光不变层的界面为可分离界面， 所述抛光可变层的肖氏D硬度与所述抛光不变层的肖氏D硬度的比率为0.50至1.50， 所述抛光可变层占所述抛光层总体积的30体积%至60体积%， 根据以下式1，所述抛光可变层的第一抛光可变性指数为0.1至11.0； 式1 在所述式1中， 所述Ri是所述抛光可变层的寿命导入时间点的所述抛光面的表面粗糙度Ra， 所述Rf是所述抛光可变层的寿命结束时间点的所述抛光面的表面粗糙度Ra， 所述Ti是所述抛光可变层的寿命导入时间点的所述抛光垫的总厚度， 所述Tf是所述抛光可变层的寿命结束时间点的所述抛光垫的总厚度。
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