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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十九研究所申请的专利一种高稳定厚膜转移柔性热电偶的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115950544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211635784.6，技术领域涉及：G01K7/02；该发明授权一种高稳定厚膜转移柔性热电偶的制备方法是由杨永超;王大兴;皮倩倩;刘玺;高云鹏;高飞;程振乾;刘志远设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高稳定厚膜转移柔性热电偶的制备方法在说明书摘要公布了：一种高稳定厚膜转移柔性热电偶的制备方法，本发明属于温度传感器技术领域，具体涉及一种高稳定厚膜转移柔性热电偶的制备方法。本发明的目的是为了解决柔性热电偶制备工艺复杂、稳定性差，热电偶精度难以保证的问题。方法：一、制备牺牲层；二、制备高稳定厚膜热电偶；三、转移高稳定厚膜热电偶；四、包封，得到高稳定厚膜热电偶柔性温度传感器。本发明的热电偶具有稳定性优异、精度高和柔性化优点，可广泛应用于柔性电子和异型表面微环境温度信号采集和测量；本发明制备的柔性温度传感器基于厚膜工艺技术设计与制造，制造工艺成熟、成本低和易于批量化生产。

本发明授权一种高稳定厚膜转移柔性热电偶的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高稳定厚膜转移柔性热电偶的制备方法，其特征在于该制备方法是按以下步骤完成的： 一、制备牺牲层： ①、采用清洗液对基片进行超声清洗，再使用去离子水对基片冲洗至中性，最后烘干，烘干的温度为80℃，得到表面清洁的基片； ②、采用丝网印刷技术或物理气相沉积技术在基片表面制备牺牲层，牺牲层厚度控制在0.2μm~2μm； 步骤一②中所述的牺牲层为二氧化硅或三氧化二铝； 步骤一②中采用丝网印刷技术在基片表面制备牺牲层的工艺如下：将二氧化硅或三氧化二铝浆料印刷在基片表面，在150℃~350℃保温1h~3h，将基片放入烧结炉600℃~1100℃烧结1h~3h； 步骤一②中采用物理气相沉积技术在基片表面制备牺牲层的工艺如下：靶材纯度为99.99%铝靶或硅靶，溅射功率为200W～500W，溅射时间为5min～15min，溅射气体为氩气和氧气，氩气流量为25sccm，氧气流量为60sccm，溅射压强为2.0Pa； 二、制备高稳定厚膜热电偶： 首先采用丝网印刷技术在牺牲层表面上印制正极热电偶厚膜，在150℃~350℃保温1h~3h，再采用丝网印刷技术在牺牲层表面上印刷负极热电偶厚膜，在150℃~350℃保温1h~3h；正极热电偶厚膜的一端与负极热电偶厚膜的一端对接形成热电偶节点，另一端分别连接有信号输出电极；最后在1000℃~1300℃和氩气保护下保温2h~3h，在基片上得到高稳定厚膜热电偶； 三、转移高稳定厚膜热电偶： ①、将表面含有高稳定厚膜热电偶的基片放入酸性腐蚀液中，待酸性腐蚀液将牺牲层腐蚀完全，释放高稳定厚膜热电偶； ②、将高稳定厚膜热电偶转移至柔性基底上，完成高稳定厚膜热电偶在柔性基底上的附着； 四、包封： 将包封材料涂覆到高稳定厚膜热电偶表面，再固化，完成包封，得到高稳定厚膜热电偶柔性温度传感器，即完成一种高稳定厚膜转移柔性热电偶的制备方法。

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