TES股份有限公司权捧秀获国家专利权
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龙图腾网获悉TES股份有限公司申请的专利基板处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211200674.7，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权基板处理方法是由权捧秀;金洗璨设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法在说明书摘要公布了：根据本发明的基板处理方法是对从最外侧开始堆叠包括第一氧化硅膜、氮化硅膜及第二氧化硅膜的膜的基板进行处理的方法，包括以下步骤：第一刻蚀步骤，对所述第一氧化硅膜进行刻蚀；以及第二刻蚀步骤，对所述氮化硅膜及所述第二氧化硅膜进行刻蚀，在所述第一刻蚀步骤中，保留所述第一氧化硅膜的残留层，且在所述第二刻蚀步骤中，对所述第一氧化硅膜的残留层、所述氮化硅膜及所述第二氧化硅膜统一进行刻蚀。本发明具有可对刻蚀对象区域的氮化硅膜及氧化硅膜统一进行刻蚀、且另一方面可保护非刻蚀对象区域的膜的效果。
本发明授权基板处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，是对从最外侧开始堆叠包括第一氧化硅膜、氮化硅膜及第二氧化硅膜的膜的基板进行处理的方法，所述方法包括： 第一刻蚀步骤，对所述第一氧化硅膜进行刻蚀；以及 第二刻蚀步骤，对所述氮化硅膜及所述第二氧化硅膜进行刻蚀， 在所述第一刻蚀步骤中，保留所述第一氧化硅膜的残留层， 在所述第二刻蚀步骤中，对所述第一氧化硅膜的残留层、所述氮化硅膜及所述第二氧化硅膜统一进行刻蚀， 所述第一刻蚀步骤执行到所述第一氧化硅膜的残留层的厚度成为100Å以下为止。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TES股份有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面中部大路2374-36；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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