纽富来科技股份有限公司森田博文获国家专利权
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龙图腾网获悉纽富来科技股份有限公司申请的专利多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211011589.6，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置是由森田博文;东矢高尚设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置在说明书摘要公布了：提供多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置，能够在抑制阵列畸变的增加的同时解决由二次电子的空间滞留和偏转器电极带电产生的射束位置的变动。本实施方式的多带电粒子束描绘方法具备：形成向描绘对象的基板照射的多带电粒子束的工序；使上述多带电粒子束偏转到加上规定的偏转偏移量的位置，以使得不包含向静电型的定位偏转器的多个电极分别施加的各偏转电压全部为零的状态的工序；以及将上述多带电粒子束照射到上述基板的工序，在上述各偏转电压上加上正的共用电压并施加到上述定位偏转器的各电极。
本发明授权多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置在权利要求书中公布了：1.一种多带电粒子束描绘方法，具备： 形成向描绘对象的基板照射的多带电粒子束的工序； 使上述多带电粒子束偏转到加上规定的偏转偏移量的位置，以使得不包含向静电型的定位偏转器的多个电极分别施加的各偏转电压全部为零的状态的工序；以及 将上述多带电粒子束照射到上述基板的工序， 使配置在比上述定位偏转器靠上述多带电粒子束的行进方向的下游侧的焦点校正透镜在正的电压范围内动作， 在上述各偏转电压上加上向上述焦点校正透镜施加的正的电压的上限值以上的值、即正的共用电压并施加到上述定位偏转器的各电极。
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