新际芯(北京)科技有限公司张在涌获国家专利权
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龙图腾网获悉新际芯(北京)科技有限公司申请的专利带隙基准电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211505087.9，技术领域涉及：G05F1/625；该发明授权带隙基准电路及芯片是由张在涌;张睿君;李夏青;李子良;尹虎君设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本带隙基准电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带隙基准电路及芯片，带隙基准电路包括：第一MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、放大器和可调电阻单元。根据本发明的器带隙基准电路及芯片，相较于传统带隙基准电路结构，本发明的电路结构简单、输出电压精度高，对电源及地的噪声都有较好的抑制能力，可很好的解决DCDC转换器等电路中因地噪声较大的情况而对基准电压造成的干扰，可作为高性能基准电路而广泛应用于半导体集成电路中。
本发明授权带隙基准电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：第一MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、放大器和可调电阻单元； 所述第一MOS管的源极与电源电压相连，所述第一MOS管的漏极与第一三极管的集电极和基极以及第二三极管的集电极和基极相连且用于输出基准电压，所述第一三极管的发射极与第三电阻的第一端以及放大器的第一输入端相连，所述第二三极管的发射极与第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与放大器的第二输入端以及第二电阻的第一端相连，所述放大器的输出端与第一MOS管的栅极相连，所述第三电阻的第二端与第二电阻的第二端与可调电阻单元的第一端相连，所述可调电阻单元的第二端与地电压相连； 所述可调电阻单元包括第四电阻和若干电阻单元，所述第四电阻和电阻单元相互串联； 所述带隙基准电路还包括第一电容，所述第一电容的第一端与第一MOS管的栅极相连，所述第一电容的第二端与第一MOS管的漏极相连。
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