芯恩(青岛)集成电路有限公司奉竹青获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881785B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111149258.4，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种LDMOS器件及其制备方法是由奉竹青;江兴川设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，所述LDMOS器件包括半导体本体、栅极结构、第一场板、金属硅化物阻挡层、第二场板、层间介质层以及第三场板，所述第一场板、第二场板、第三场板的底面至半导体本体的距离依次增加，即场板下的介质层厚度从栅极到漏区依次增加，从而能够使电场的分布更加均匀，提高LDMOS器件的性能；另外，本发明的LDMOS器件的制备方法利用现有BCD工艺中介质层的不同厚度，在不同厚度的介质层上制备出呈阶梯状分布的场板，与现有的制备方法相比，没有增加任何的附加工艺步骤，节省了制造成本。
本发明授权一种LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括： 半导体本体； 栅极结构，位于所述半导体本体的表面，包括栅极氧化层以及位于所述栅极氧化层表面的栅极； 第一场板，位于所述栅极氧化层表面，且与所述栅极在第一方向上并列排布，所述栅极与所述第一场板的两侧还形成有侧墙； 金属硅化物阻挡层，位于所述栅极氧化层表面并覆盖部分所述第一场板； 第二场板，位于所述金属硅化物阻挡层表面； 层间介质层，位于所述半导体本体的表面并覆盖所述栅极结构、第一场板、第二场板及金属硅化物阻挡层； 第三场板，位于所述层间介质层的表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266500 山东省青岛市黄岛区红石崖街道山王河路1088号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励