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龙图腾网获悉佛山科学技术学院申请的专利基于CAFVF的抗辐射自偏置低压差稳压器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115857617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211481945.0，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权基于CAFVF的抗辐射自偏置低压差稳压器电路是由严世泉;段志奎;王虎伟;于昕梅;龙泳希;李伙生;高国智;李俊华;魏光勇设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于CAFVF的抗辐射自偏置低压差稳压器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CAFVF的抗辐射自偏置低压差稳压器电路，该包括：包括功率管、第一负反馈电路、第二负反馈电路、正压反馈电路、电压反馈电路、电流源偏置电路和启动电路。本发明提出的电路无需基准电路和误差放大器，有效避免了误差放大器输出端受到SET影响的情况。此外，本发明电路通过多个反馈回路来建立一个电压平衡点，并确定输出电压值。最终，电路能够在辐射环境下输出一个稳定的电压。本发明电路明显地提升了低压差稳压器的抗辐射能力，具有SET鲁棒性，能够在航空、航天等辐射环境下稳定工作。本发明可广泛应用于稳压器电路领域。

本发明授权基于CAFVF的抗辐射自偏置低压差稳压器电路在权利要求书中公布了：1.基于CAFVF的抗辐射自偏置低压差稳压器电路，其特征在于，包括功率管、第一负反馈电路、第二负反馈电路、正压反馈电路、电压反馈电路、电流源偏置电路和启动电路，所述功率管分别与第一负反馈电路、正压反馈电路、电压反馈电路连接，所述第一负反馈电路还分别与第二负反馈电路、电压反馈电路、启动电路连接，所述负反馈电路还分别与正压反馈电路、电压反馈电路、电流源偏置电路、启动电路连接，所述正压反馈电路还分别与电压反馈电路、电流源偏置电路连接； 所述第一负反馈电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第二负反馈电路包括第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的源极接电源，所述第一晶体管的漏极、第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极、第三晶体管的漏极和第四晶体管的栅极相连，所述第二晶体管的源极接电源，所述第二晶体管的漏极、第四晶体管的漏极、功率管的栅极和启动电路相连，所述第三晶体管的源极接地，所述第三晶体管的栅极与电压反馈电路连接，所述第四晶体管的源极、正反馈电路和电流源偏置电路相连； 所述正压反馈电路包括第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管，所述第五晶体管的源极、功率管的漏极、第六晶体管的栅极和电压反馈电路相连，所述第五晶体管的漏极、第四晶体管的源极和电流源偏置电路相连，第五晶体管的栅极、第六晶体管的源极、第七晶体管漏极和第七晶体管的栅极相连，所述第六晶体管的漏极接电源，所述第七晶体管的源极接地； 所述电压反馈电路包括第八晶体管和第九晶体管，所述第八晶体管的源极、第六晶体管的栅极、功率管的漏极和第五晶体管的源极相连，所述第八晶体管的漏极、第八晶体管的栅极、第九晶体管的漏极、第九晶体管的栅极和第三晶体管的栅极相连，所述第九晶体管的源极接地； 所述电流源偏置电路包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和第十三晶体管，所述第十晶体管的漏极、第四晶体管的源极和第五晶体管的漏极相连，所述第十晶体管的栅极、第十三晶体管的漏极、第十三晶体管的栅极、第十二晶体管的栅极和第十二晶体管的漏极相连，所述第十三晶体管的源极接地，所述第十二晶体管的源极、第十一晶体管的漏极和第十一晶体管的栅极相连，所述第十一晶体管的源极接电源； 所述启动电路包括第十四晶体管、第十五晶体管和第一电阻，所述第十四晶体管的漏极、功率管的栅极、第二晶体管的漏极和第四晶体管的漏极相连，所述第十四晶体管的源极、第十五晶体管的漏极和第十五晶体管的栅极相连，所述第十五晶体管的源极接地，所述第十四晶体管的栅极与第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端接电源。

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