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佛山华智新材料有限公司杨泽亮获国家专利权

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龙图腾网获悉佛山华智新材料有限公司申请的专利复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115799193B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211680722.7,技术领域涉及:H10W40/22;该发明授权复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法是由杨泽亮;刘伟恒设计研发完成,并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法。上述复合热沉结构包括:依次层叠设置的第一铜层、第一芯材、第二铜层、第二芯材和第三铜层;第三铜层和第二芯材在第二铜层表面的正投影均落在第二铜层内,且正投影的边缘位于第二铜层的边缘的内侧。上述复合热沉结构的第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数不同,且通过调整各铜层、各芯材的厚度以及比例,能够使得第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数各自在一定范围内可调,实现分别与芯片和封装墙体相匹配,解决了传统的热沉结构在封装时无法同时匹配不同材质的芯片和封装墙体的问题。

本发明授权复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法在权利要求书中公布了:1.一种复合热沉结构,其特征在于,包括:依次层叠设置的第一铜层、第一芯材、第二铜层、第二芯材和第三铜层; 所述第二芯材和所述第三铜层在所述第二铜层表面的正投影均落在所述第二铜层内,且所述正投影的边缘位于所述第二铜层的边缘的内侧; 所述第二铜层表面未层叠有所述第二芯材的区域设有两个第一凹槽,每个所述第一凹槽的一个槽壁分别与所述第二芯材的一个边缘平齐; 所述第一芯材及所述第二芯材各自独立地选自钼、钼铜合金、钨及钨铜合金中的任一种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人佛山华智新材料有限公司,其通讯地址为:528000 广东省佛山市南海区狮山镇华沙路12号之一南海平谦国际智慧产业园A9-1;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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