暨南大学涂佳静获国家专利权
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龙图腾网获悉暨南大学申请的专利一种沟槽辅助式的随机耦合多芯光纤获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115793134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211261364.6,技术领域涉及:G02B6/02;该发明授权一种沟槽辅助式的随机耦合多芯光纤是由涂佳静;蒋永能;高社成;刘伟平设计研发完成,并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽辅助式的随机耦合多芯光纤在说明书摘要公布了:本发明公开了一种沟槽辅助式的随机耦合多芯光纤。所述随机耦合多芯光纤包括外包层以及置于外包层内的n个完全相同的沟槽辅助式的纤芯,12≥n≥2;每个沟槽辅助式的纤芯从内到外依次包括低掺杂纤芯、高掺杂纤芯、内包层和低折射率沟槽辅助层;每个沟槽辅助式的纤芯都仅支持单个模式,即HE11,若考虑偏振态则分为x偏振HE11,y偏振HE11;因此激发的超模阶次与沟槽辅助式的纤芯的数量相同,其余阶次更大的模式截止。内包层和低折射率的沟槽辅助层通过取不同的值组合不仅可以抑制电磁场交叠以减小芯间距、提高纤芯密度,还可以降低由于工艺制备误差引起的超模之间的群速度差异,即增强对工艺制备误差的容忍性。
本发明授权一种沟槽辅助式的随机耦合多芯光纤在权利要求书中公布了:1.一种沟槽辅助式的随机耦合多芯光纤,其特征在于:包括外包层5以及置于外包层5内的n个完全相同的沟槽辅助式的纤芯,12≥n≥2; 每个沟槽辅助式的纤芯从内到外依次包括低掺杂纤芯1、高掺杂纤芯2、内包层3和低折射率沟槽辅助层4; 每个沟槽辅助式的纤芯都仅支持单个模式,即HE11,若考虑偏振态则分为x偏振HE11,y偏振HE11;因此激发的超模阶次与沟槽辅助式的纤芯的数量相同,其余阶次更大的模式截止;当纤芯数n≤6,或者n=8或10时,所有沟槽辅助式的纤芯单层排列,所有沟槽辅助式的纤芯均匀排布在一个以外包层5的截面几何中心为圆心、相邻沟槽辅助式的纤芯之间的芯间距为Dco的圆上; 当纤芯数n=12时,沟槽辅助式的纤芯以双层排列,第一层的沟槽辅助式的纤芯均匀排布在一个以外包层5的截面几何中心为圆心、相邻沟槽辅助式的纤芯之间的芯间距为Dco的圆上,且第二层的沟槽辅助式的纤芯以距离第一层沟槽辅助式的纤芯相邻芯间距为Dco的位置交错排列; 当纤芯数n=7、9或11时,一个纤芯设置在外包层5的截面几何中心,其余的沟槽辅助式的纤芯均匀排布在一个以外包层5的截面几何中心为圆心、相邻沟槽辅助式的纤芯之间的芯间距为Dco的圆上; 高掺杂纤芯2的半径r1,低掺杂纤芯1的半径a=r12,内包层3的半径为r2,沟槽辅助层4的宽度为W,沟槽辅助层4的半径r3=r2+W; 设置内包层3的半径r2和沟槽辅助层4的宽度W,记W=0即无沟槽辅助时的纤芯群速度差的绝对值为|ΔNg0|;W≠0时,改变r的值时,会改变沟槽辅助式的纤芯的群速度和对应差的绝对值|ΔNg|,的取值范围是使|ΔNg|<|ΔNg|时的参数范围,的参数选择是在该参数范围中使得|ΔNg|=0的参数点; 不同的工艺制造误差下,纤芯模式之间的|ΔNg|较大,通过的参数组合实现对|Ng|的调控,减小模式之间的群速度差异,从而降低群时延展宽GDS;最小GDS对应的芯间距即为所需的芯间距Dco。
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