铠侠股份有限公司五十岚英纪获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及抹除验证方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115762603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210161830.7,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权半导体存储装置及抹除验证方法是由五十岚英纪;牧野航设计研发完成,并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及抹除验证方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种半导体存储装置及抹除验证方法。实施方式的半导体存储装置具备:存储块,具有连接在第1选择栅极晶体管、多个存储单元晶体管及第2选择栅极晶体管各自的栅极的第1至第3控制信号线;电阻测定电路,测定所述第1至第3控制信号线中的至少1根控制信号线的电阻;以及控制电路,对所述存储块中包含的所述多个存储单元晶体管进行数据的抹除、编程及读取;所述控制电路基于所述电阻测定电路的电阻测定的测定结果,确定是否令对所述抹除进行验证的抹除校验的结果为未通过状态。
本发明授权半导体存储装置及抹除验证方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体存储装置,具备: 存储块,该存储块具有多个存储器串、第1控制信号线、多个第2控制信号线、第3控制信号线及多个位线,所述多个存储器串包含串联连接的第1选择栅极晶体管、多个存储单元晶体管及第2选择栅极晶体管,所述第1控制信号线共通连接着所述多个存储器串的所述第1选择栅极晶体管的栅极,所述多个第2控制信号线分别共通连接着所述多个存储器串的同一行所述存储单元晶体管的栅极,所述第3控制信号线共通连接着所述多个存储器串的所述第2选择栅极晶体管的栅极,所述多个位线分别连接在所述多个存储器串; 电阻测定电路,测定所述第1至第3控制信号线中的至少1根控制信号线的电阻;以及 控制电路,对所述存储块中包含的所述多个存储单元晶体管进行数据的抹除、编程及读取; 所述控制电路是 基于所述电阻测定电路的电阻测定的测定结果,确定是否令对所述抹除进行验证的抹除校验的结果为未通过状态。
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