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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种三维相变存储器高可靠写电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115762591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211342813.X，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权一种三维相变存储器高可靠写电路是由雷宇;张光明;俞秋瑶;宋志棠设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维相变存储器高可靠写电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维相变存储器高可靠写电路，包括：位线数据感知模块，用于确定选中位线上的数据状态；行列地址感知模块，用于根据选中单元的行地址和列地址确定选中单元所属的块地址；查找表模块，用于将所述选中位线上的数据状态以及选中单元所属的块地址作为索引，从写电流幅度配置表中找到最优写电流幅度；写驱动模块，用于输出所述最优写电流幅度的写电流到选中单元。本发明能够提高三维相变存储器的可靠性。

本发明授权一种三维相变存储器高可靠写电路在权利要求书中公布了：1.一种三维相变存储器高可靠写电路，其特征在于，包括： 位线数据感知模块，用于确定选中位线上的数据状态；所述位线数据感知模块包括依次连接的检测电路、电流比较器和寄存器，所述检测电路用于根据选中位线产生输出电流；所述电流比较器用于根据所述输出电流的大小确定选中位线上的数据状态；所述寄存器用于保存所述电流比较器确定的选中位线上的数据状态； 所述电流比较器通过电流镜将所述检测电路的输出电流进行复制，并与四种不同的参考电流进行对比，确定选中位线上的数据状态；所述电流比较器包括PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述PMOS管作为电流镜的一部分复制所述检测电路的输出电流，其源极与电源端相连，漏极通过使能晶体管与所述第一NMOS管的漏极相连，栅极与电流镜的另一个PMOS管的栅极相连，所述第一NMOS管的源极接地，栅极与漏极相连；所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连，源极接地，漏极与第四参考电流源相连；所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连，源极接地，漏极与第三参考电流源相连；所述第四NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连，源极接地，漏极与第二参考电流源相连；所述第五NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连，源极接地，漏极与第一参考电流源相连；所述第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管的漏极还作为组合逻辑电路的输入； 所述组合逻辑电路包括第一非门、第二非门、第三非门、第四非门、第一与门、第二与门、第三与门、第一或门、以及第二或门；所述第一非门的输入端与第二NMOS管的漏极相连，输出端作为组合逻辑电路的第一输出端；所述第二非门的输入端与第三NMOS管的漏极相连，输出端与所述第一与门的第一输入端相连；所述第三非门的输入端与第四NMOS管的漏极相连，输出端与所述第二与门的第一输入端相连；所述第四非门的输入端与第五NMOS管的漏极相连，输出端与所述第三与门的第一输入端相连；所述第一与门的第二输入端与所述第二NMOS管的漏极相连，输出端分别与所述第一或门和第二或门的第一输入端相连，所述第二与门的第二输入端与所述第三NMOS管的漏极相连，输出端与所述第一或门的第二输入端相连；所述第三与门的第二输入端与所述第四NMOS管的漏极相连，输出端与第二或门的第二输入端相连；所述第一或门的输出端作为组合逻辑电路的第二输出端；所述第二或门的输出端作为组合逻辑电路的第三输出端； 行列地址感知模块，用于根据选中单元的行地址和列地址确定选中单元所属的块地址；查找表模块，用于将所述选中位线上的数据状态以及选中单元所属的块地址作为索引，从写电流幅度配置表中找到存储的最优写电流幅度； 写驱动模块，用于输出所述最优写电流幅度的写电流到选中单元。

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