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龙图腾网获悉杭州雄迈集成电路技术股份有限公司申请的专利一种电压调整电路、集成电路以及稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115756052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211438938.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种电压调整电路、集成电路以及稳压器是由刘辉;何春霖设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电压调整电路、集成电路以及稳压器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电压调整电路、集成电路以及稳压器，其中电压调整电路包括类LDO结构、SSF输出结构以及连接所述类LDO结构与所述SSF输出结构的第一PMOS管；所述类LDO结构包括误差放大器以及由第一NMOS和第一分压电阻串构成的反馈回路；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一PMOS管的栅极连接所述SSF输出结构，为所述SSF输出结构提供偏置电压，所述SSF输出结构连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端；所述SSF输出结构的输出端接入负载。通过一个公共的偏置电压提供部分，为每一SSF输出结构提供偏置电压，在不需要增加误差放大器的情况下，使每一负载都有完整的反馈回路保证输出电压的稳定性。

本发明授权一种电压调整电路、集成电路以及稳压器在权利要求书中公布了：1.一种电压调整电路，其特征在于，包括类LDO结构、SSF输出结构以及连接所述类LDO结构与所述SSF输出结构的第一PMOS管；所述类LDO结构包括误差放大器以及由第一NMOS管和第一分压电阻串构成的反馈回路；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一PMOS管的栅极连接所述SSF输出结构，为所述SSF输出结构提供偏置电压，所述SSF输出结构连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端；所述SSF输出结构的输出端接入负载；所述SSF输出结构包括第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管以及第二分压电阻串；所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二NMOS管的栅极连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极；所述第二分压电阻串的一端连接所述第二NMOS管的源极，另一端接地；所述第三PMOS管的漏极输出与所述第二NMOS管的源极输出形成所述SSF输出结构的输出端。

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