中芯北方集成电路制造(北京)有限公司马凯瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115718403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110998715.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由马凯瑞;陶东言;刘金华设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供设计图形，设计图形包括多个主图形，主图形具有直角拐角；对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理。使得目标层在拐角处的应力减少，能够改善应力集中的问题，当目标层四周覆盖有其他膜层时，目标层在拐角处的应力会对其他膜层造成影响，因此，通过减小目标层在拐角处的应力，从而降低覆盖在目标层四周的膜层在目标层的拐角处出现裂纹的概率，进而有利于提高芯片可靠性。
本发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 提供设计图形，所述设计图形包括多个主图形，所述主图形具有直角拐角； 对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理，以使所述修正后图形转移至基底后形成的目标层在拐角处的应力减少； 其中，提供设计图形的步骤中，所述主图形为金属线图形，所述金属线图形为顶层金属线图形。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯北方集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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