美光科技公司F·A·席赛克-艾吉获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利垂直晶体管熔丝锁存器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115705904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210935504.7，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权垂直晶体管熔丝锁存器是由F·A·席赛克-艾吉;何源设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直晶体管熔丝锁存器在说明书摘要公布了：本申请案涉及垂直晶体管熔丝锁存器。一种设备可包含衬底及与所述衬底耦合的存储器阵列。所述设备还可包含锁存器，其经配置以存储来自用于所述存储器阵列的熔丝的信息。所述锁存器可至少部分在与所述衬底分离且在所述衬底之上的额外衬底内。所述锁存器可包含一定数量的p型垂直晶体管及一定数量的n型垂直晶体管，其各自至少部分安置于所述衬底之上的所述额外衬底内。
本发明授权垂直晶体管熔丝锁存器在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 衬底， 存储器阵列，其与所述衬底耦合；及 锁存器，其经配置以存储来自用于所述存储器阵列的熔丝的信息，所述锁存器安置在所述衬底上方的额外衬底内且包括： 多个p型垂直晶体管，所述多个p型垂直晶体管中的每一p型垂直晶体管包括：耦合在一起的第一多个栅极端子的相应的栅极端子，耦合在一起的第一多个漏极端子的相应的漏极端子，以及耦合在一起的第一多个源极端子的相应的源极端子；及 多个n型垂直晶体管，所述多个n型垂直晶体管中的每一n型垂直晶体管包括耦合在一起的第二多个栅极端子的相应的栅极端子。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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