FEI 公司M·埃尔南德斯获国家专利权
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龙图腾网获悉FEI 公司申请的专利固态ESD SIC模拟器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115704853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210931783.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权固态ESD SIC模拟器是由M·埃尔南德斯设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态ESD SIC模拟器在说明书摘要公布了：固态ESDSIC模拟器。静电放电ESD测试系统包括基于FET的脉冲发生器，其使用成对的背靠背FET，所述背靠背FET进行耦合以基于对与被测装置DUT串联耦合的电容器进行放电而产生ESD脉冲。可以基于预期的ESD测试电压幅度来选择多个FET。
本发明授权固态ESD SIC模拟器在权利要求书中公布了：1.一种静电放电测试设备，其包括： 以背靠背连接耦合的至少第一FET和第二FET； 可操作以产生双极测试电压的测试电压源； 静电放电测试电容器，所述静电放电测试电容器定位为由所述测试电压源充电并且通过被测装置以及所述第一FET和第二FET放电以在所述被测装置中产生测试脉冲；以及 脉冲发生器，所述脉冲发生器进行耦合以产生控制脉冲，所述控制脉冲可操作以引起所述静电放电测试电容器的放电和所述测试脉冲的产生； 第一和第二光隔离器，所述第一和第二光隔离器耦合到所述第一FET和所述第二FET的相应栅极并且进行耦合以从所述脉冲发生器接收所述控制脉冲。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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