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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种GaN HEMT功率器件、制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211310831.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种GaN HEMT功率器件、制备方法及芯片是由刘杰;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT功率器件、制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种GaNHEMT功率器件、制备方法及芯片，GaNHEMT功率器件包括：半导体衬底、第一沟道层、第二沟道层、第一势垒层、第二势垒层、盖帽层、源极电极、漏极电极、栅极电极、阴极电极、阳极电极以及多个电场调节单元；本申请实施例通过设置多个所述电场调节单元，多个所述电场调节单元可以与第二沟道层形成PN结，产生一个纵向的电场，从而抵消掉一部分二维电子气，使得横向电场更加均匀化，以此来提升阴极电极、阳极电极、多个电场调节单元等形成的体二极管的反向击穿电压，进一步提升GaNHEMT功率器件的反向击穿电压。

本发明授权一种GaN HEMT功率器件、制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT功率器件，其特征在于，所述GaNHEMT功率器件包括： 半导体衬底； 第一沟道层和第二沟道层，所述第一沟道层和所述第二沟道层均设于所述半导体衬底上，且所述第一沟道层和所述第二沟道层互不接触； 第一势垒层和第二势垒层，所述第一势垒层设于所述第一沟道层上，所述第二势垒层设于所述第二沟道层上； 盖帽层，设于所述第一势垒层上； 源极电极，设于所述第一沟道层上，且与所述第一势垒层的第一侧接触； 漏极电极，设于所述第一沟道层上，且与所述第一势垒层的第二侧接触； 栅极电极，设于盖帽层上； 阴极电极，设于所述第二沟道层上，且与所述第二势垒层的第二侧接触； 阳极电极，设于所述第二沟道层上，且与所述第二势垒层的第一侧接触； 多个电场调节单元，设于所述阴极电极和所述阳极电极之间，且多个所述电场调节单元互不接触，多个所述电场调节单元均与所述第二势垒层接触，用于耗尽所述第二沟道层中的二维电子气，多个所述电场调节单元的宽度从中间区域向靠近所述阴极电极和靠近所述阳极电极的方向逐渐增大。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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