上海大学巫金波获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211282445.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法是由巫金波;石博日;王萍阳;薛厂;张萌颖;温维佳设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法，利用脉冲激光在刻蚀过程中的光热效应累积，通过脉冲激光刻蚀导电层形成绝缘沟道，同时脉冲激光束附近产生的光热效应破坏沟道两侧的疏液层从而降低其疏液效果，形成热影响区。当将可通过溶液法生长晶体的溶液涂布在基底上时，热影响区的存在保证了溶液可以润湿并完全覆盖激光刻蚀产生的沟道。最后经过沉积形成的晶膜可以横向跨越沟道两侧，形成横向结构的双电极器件。根据本发明的制备方法无需分别进行活性材料以及电极材料的阵列化制备，仅通过激光刻蚀一种图案化过程即可完成，实现大面积、高通量、阵列化横向结构双电极器件的制备。
本发明授权基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法，其特征在于，包括： 步骤1：提供具有导电层的基底，在所述导电层上形成疏液层； 步骤2：使用脉冲激光刻蚀所述基底，其中利用所述脉冲激光的光斑中心的能量刻蚀所述疏液层和所述导电层形成分裂环状第一沟道阵列，利用所述脉冲激光的光热效应破坏第一沟道两侧的疏液层形成热影响区，所述第一沟道和横跨所述第一沟道的所述热影响区共同构成分裂环状阵列结构的亲液图案； 步骤3：将配置好的可通过溶液法生长晶体的溶液涂布在所述基底上，所述溶液在所述基底上发生选择性浸润，定向沉积在所述分裂环状阵列结构的亲液图案上形成晶膜； 步骤4：使用脉冲激光对所述分裂环状阵列结构中的每个分裂环进行第二次刻蚀，从而形成分裂环图案内部和外部相互绝缘的双电极，所述双电极之间的间距为所述第一沟道的宽度。
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