美光科技公司T·M·延森获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有配置用于可切换路由的重新分布结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180029502.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权具有配置用于可切换路由的重新分布结构的半导体装置是由T·M·延森;D·R·亨布里设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有配置用于可切换路由的重新分布结构的半导体装置在说明书摘要公布了：本文公开具有重新分布结构的半导体装置及相关联系统及方法。在一个实施例中，半导体封装包含第一半导体裸片，其包含第一重新分布结构；及第二半导体裸片，其包含第二重新分布结构。所述第一及第二半导体裸片可安装在封装衬底上，使得所述第一及第二重新分布结构彼此对准。在一些实施例中，互连结构可位于所述第一及第二半导体裸片之间，以将所述第一及第二重新分布结构彼此电耦合。所述第一及第二重新分布结构可配置成使得所述第一及第二半导体裸片之间的信号路由可基于所述互连结构的位置而改变。
本发明授权具有配置用于可切换路由的重新分布结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，其包括： 封装衬底； 第一半导体裸片，其安装到所述封装衬底，所述第一半导体裸片包含第一重新分布结构，所述第一重新分布结构包含- 第一信号迹线，其电耦合到第一裸片触点、第一互连垫及第一封装触点，及 第二信号迹线，其电耦合到第二互连垫及第二封装触点，其中所述第二信号迹线与所述第一信号迹线电隔离；及 第二半导体裸片，其安装到所述第一半导体裸片，所述第二半导体裸片包含具有第三信号迹线的第二重新分布结构，所述第三信号迹线电耦合到第二裸片触点、第三互连垫及第四互连垫， 其中1所述第一重新分布结构的所述第一互连垫与所述第二重新分布结构的所述第三互连垫对准，使得所述第一互连垫及所述第三互连垫可由互连结构桥接，及2所述第一重新分布结构的所述第二互连垫与所述第二重新分布结构的所述第四互连垫对准，使得所述第二互连垫及所述第四互连垫可由互连结构桥接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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