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龙图腾网获悉上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利套刻标记散射测量方法、装置以及光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110726358.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻标记散射测量方法、装置以及光刻机是由许翱鹏;占健设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻标记散射测量方法、装置以及光刻机在说明书摘要公布了：本发明提供了一种套刻标记散射测量的装置，包括：照明单元、物镜、分光单元、第一探测单元和第二探测单元；其中，所述照明单元用于提供测量光束；所述第一探测单元位于所述物镜的瞳面，所述第二探测单元位于所述物镜的像面；所述照明单元提供的所述测量光束经所述分光单元、所述物镜传输至具有套刻标记的基底上，并经所述具有套刻标记的基底反射后形成第一光束，所述第一光束传输至所述物镜以及所述分光单元，并经所述分光单元分光后形成第二光束和第三光束，所述第二光束传输至所述第一探测单元，所述第三光束传输至所述第二探测单元，根据所述第一探测单元探测的信号和所述第二探测单元探测的信号得到所述基底上的套刻标记的套刻误差。

本发明授权套刻标记散射测量方法、装置以及光刻机在权利要求书中公布了：1.一种套刻标记散射测量的装置，其特征在于，包括：照明单元、物镜、分光单元、第一探测单元和第二探测单元；其中， 所述照明单元用于提供测量光束； 所述第一探测单元位于所述物镜的瞳面，所述第二探测单元位于所述物镜的像面，所述第二探测单元包括成像透镜，所述成像透镜仅对正一级衍射光成像； 所述照明单元提供的所述测量光束经所述分光单元、所述物镜传输至具有套刻标记的基底上，并经所述具有套刻标记的基底反射后形成第一光束，所述第一光束传输至所述物镜以及所述分光单元，并经所述分光单元分光后形成第二光束和第三光束，所述第二光束传输至所述第一探测单元，所述第三光束传输至所述第二探测单元，根据所述第一探测单元和所述第二探测单元同时探测的信号计算得到所述基底上的套刻标记的套刻误差； 其中，所述分光单元包括第一分光棱镜和第二分棱镜，所述第一分光棱镜为半透半反镜；所述第二分棱镜包括第一部分和第二部分，所述第一部分半透半反镜，用于对正一级衍射光半透射半反射，所述第二部分为全透镜，用于将零级反射光和负一级衍射光全透射。

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