奥里恩公司J·鲍特斯获国家专利权
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龙图腾网获悉奥里恩公司申请的专利具有标准具补偿的高带宽光子集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110912404.8，技术领域涉及：G02B6/124；该发明授权具有标准具补偿的高带宽光子集成电路是由J·鲍特斯;G·A·菲什;E·J·诺伯格设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有标准具补偿的高带宽光子集成电路在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有标准具补偿的高带宽光子集成电路。光子集成电路设备可以包括具有不同折射率的一个或多个层，这会导致光学耦合问题和来自层变化的损失。材料膜可以被施加到光子集成电路层，以避免增加光子集成电路设备的光学带宽并且降低对制造和设计过程的敏感度的问题。
本发明授权具有标准具补偿的高带宽光子集成电路在权利要求书中公布了：1.一种用于透射光的光子集成电路结构，所述光子集成电路结构包括： 传播光的光栅层，所述光栅层在所述光子集成电路结构的第一氧化层与第二氧化层之间； 在所述光子集成电路结构的第一侧的反射镜，所述反射镜通过所述第一氧化层与所述光栅层分离，所述反射镜用以将来自所述光栅层的光导向所述光子集成电路结构的、与所述第一侧相反的第二侧； 在所述光子集成电路结构的所述第二侧的硅层，所述第二氧化层在所述硅层与所述光栅层之间；以及 材料膜，在所述硅层与所述第二氧化层之间，用以阻止一个或多个标准具出现在所述光子集成电路结构中，所述材料膜具有的折射率在所述硅层的折射率和所述第二氧化层的折射率之间； 其中所述第一侧和所述第二侧是垂直于所述光子集成电路结构的层叠方向的平面； 其中所述光子集成电路结构由第一硅晶片和第二硅晶片形成，其中所述第一硅晶片对应于所述第一氧化层、所述光栅层、所述第二氧化层和所述反射镜，并且所述第二硅晶片对应于所述硅层和所述材料膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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