清华大学张高飞获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利集成式MEMS二维扫描探测系统、电容测角方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211079151.1，技术领域涉及：G01S7/481；该发明授权集成式MEMS二维扫描探测系统、电容测角方法和装置是由张高飞;刘松涛;孟令镯设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成式MEMS二维扫描探测系统、电容测角方法和装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种集成式MEMS二维扫描探测系统、电容测角方法和装置。该集成式MEMS二维扫描探测系统包括：激光探测组件和设置在激光探测组件下方的磁路组件，激光探测组件为通过一个Y型二维旋转轴将扫描镜片与铆接区连接形成的一体式结构；磁路组件为通过两种类型磁路模组围成的中空式结构，不同类型的磁路模组用于产生不同方向维度磁场；激光探测组件的铆接区与磁路组件中的磁路模组连接，扫描镜片处于多个磁路模组围成的空腔中，且在不同方向维度磁场驱动下，Y型二维旋转轴带动扫描镜片在空腔中进行对应方向维度的转动。该集成式MEMS二维扫描探测系统能够减小电磁扫描镜的整体体积。
本发明授权集成式MEMS二维扫描探测系统、电容测角方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种集成式MEMS二维扫描探测系统，其特征在于，所述集成式MEMS二维扫描探测系统包括：激光探测组件和设置在所述激光探测组件下方的磁路组件，所述激光探测组件为通过Y型二维旋转轴将扫描镜片与铆接区连接形成的一体式结构；所述磁路组件为通过两种类型磁路模组围成的中空式结构，不同类型的磁路模组用于产生不同方向维度磁场； 所述激光探测组件的铆接区与所述磁路组件中的磁路模组连接，所述扫描镜片处于所述多个磁路模组围成的空腔中，且在所述不同方向维度磁场驱动下，所述Y型二维旋转轴带动所述扫描镜片在所述空腔中进行对应方向维度的转动； 所述扫描镜片上设置有多个激光探测模组，且各所述激光探测模组均匀地贴附在所述扫描镜片的镜面上。
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