上海南麟电子股份有限公司;无锡麟聚半导体科技有限公司金楠获国家专利权
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龙图腾网获悉上海南麟电子股份有限公司;无锡麟聚半导体科技有限公司申请的专利一种过温保护电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115528764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210217145.1,技术领域涉及:H02J7/65;该发明授权一种过温保护电路是由金楠;霍晓强;吴国平设计研发完成,并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种过温保护电路在说明书摘要公布了:本发明提供一种过温保护电路至少包括:基准模块、调节模块、参考信号生成模块、误差放大模块、恒流模块及采样反馈模块,其中:基准模块用来提供基准电压和负温度系数电压;参考信号生成模块连接于基准模块的输出端;调节模块连接于参考电压生成模块与基准模块的输出端之间;误差放大模块连接于反馈信号与参考信号生成模块的输出端;恒流模块连接于误差放大模块的输出端;采样反馈模块连接于恒流模块的输出端。使充电芯片在不同温度尤其在非极端高温的情况下采用线性降低充电电流的方式进行温度保护,提高了充电安全性同时降低芯片损耗。且结构简单,适用于各种充电芯片中,便于集成化应用。
本发明授权一种过温保护电路在权利要求书中公布了:1.一种过温保护电路,其特征在于,所述过温保护电路至少包括:基准模块、调节模块、参考信号生成模块、误差放大模块、恒流模块及采样反馈模块,其中: 所述基准模块用来提供基准电压和负温度系数电压;所述基准模块包括:第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一PNP三极管、第二PNP三极管及第一误差放大器,其中:所述第一PNP三极管的基极及集电极接参考地;所述第三电阻的第一端与所述第一PNP三极管的发射极连接;所述第二PNP三极管的基极及集电极接参考地,发射极输出所述负温度系数电压;所述第一误差放大器的同相输入端接所述第三电阻的第二端,反相输入端接所述第二PNP三极管的发射极,输出所述基准电压;所述第四电阻的第一端接所述第三电阻的第二端;所述第五电阻连接于所述第四电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极之间;所述第六电阻连接于所述第四电阻的第二端与所述第一误差放大器的输出端之间; 所述参考信号生成模块连接于所述基准模块的输出端,对所述基准电压进行分压生成参考信号; 所述调节模块连接于所述参考信号生成模块与所述基准模块的输出端之间,基于所述基准电压与所述负温度系数电压的差值产生驱动信号,并基于温度的变化对所述参考信号的电压值进行反相调节,其中,随着温度的升高,所述负温度系数电压下降,所述驱动信号的电压值下降,当所述驱动信号的电压值小于所述参考信号的电压值时,所述参考信号向所述调节模块灌电流,降低所述参考信号的电压值; 所述误差放大模块连接于反馈信号与所述参考信号生成模块的输出端,对所述参考信号与所述反馈信号的差值进行放大; 所述恒流模块连接于所述误差放大模块的输出端,基于所述误差放大模块的输出信号产生随所述参考信号正比例变化的充电电流; 所述采样反馈模块连接于所述恒流模块的输出端,采集所述充电电流并转换得到与所述充电电流对应的所述反馈信号。
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