天狼芯半导体(成都)有限公司黄汇钦获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种垂直型功率器件及其制作方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528106B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211130923.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种垂直型功率器件及其制作方法、芯片是由黄汇钦;吴龙江;曾健忠设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型功率器件及其制作方法、芯片在说明书摘要公布了：本发明适用于半导体的技术领域，提供了垂直型功率器件，包括衬底、缓冲层、第一绝缘层以及第二绝缘层、第一金属层、第二金属层、第一接触层、第二接触层以及第三接触层，第一接触层为第一类型金属；第三接触层与缓冲层第一类型接触，第三接触层、第一接触层以及第二接触层为第一类型金属，从而解决了现有技术中半导体器件的制作成本较高的技术问题。
本发明授权一种垂直型功率器件及其制作方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种垂直型功率器件，其特征在于，所述垂直型功率器件包括： 衬底； 缓冲层，设于所述衬底上； 第一绝缘层，设于所述缓冲层上，且位于所述缓冲层的第一侧，其中，所述第一绝缘层内设有通孔； 第二绝缘层，设于所述缓冲层上，且位于所述缓冲层的第二侧，其中，所述第二绝缘层内设有通孔； 第一金属层，设于所述第一绝缘层的通孔中，且与所述缓冲层接触； 第二金属层，设于所述第二绝缘层的通孔中，且与所述缓冲层接触； 第一接触层，所述第一接触层与所述第一金属层接触； 第二接触层，所述第二接触层与所述第二金属层接触; 第三接触层，所述第三接触层与所述缓冲层为第一类型接触或第二类型接触； 所述第一接触层、所述第二接触层以及所述第三接触层为与第一类型接触对应的第一类型金属或与第二类型接触对应的第二类型金属； 其中，当所述第一类型金属为肖特基金属，所述第二类型金属为欧姆金属；当所述第一类型金属为欧姆金属，所述第二类型金属为肖特基金属。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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