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龙图腾网获悉中国石油大学(北京)申请的专利一种碳酸盐岩涂层修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115524396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211146474.8，技术领域涉及：G01N29/02；该发明授权一种碳酸盐岩涂层修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用是由刘子龙;侯晓楠;吕其超;陈君青;赵莉;李雪;周广刚;王晓慧;矫玉秋设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳酸盐岩涂层修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器监测技术领域，公开了一种碳酸盐岩涂层修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用，包括：S1，配制碳酸盐岩混合沉积溶液；S2，将所述碳酸盐岩混合沉积溶液进行离心处理后取上层清液；S3，将所述上层清液持续引入至设置有传感器芯片的电化学流通池中；且持续引入所述上层清液的时间≥20min；S4，然后依次进行通电处理和稳定处理后取所述传感器芯片进行干燥处理。本发明提供的碳酸盐岩涂层修饰的石英晶体微天平传感器的涂层粗糙度和厚度均可控，具有较高的灵敏度和响应性。

本发明授权一种碳酸盐岩涂层修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种制备碳酸盐岩涂层修饰的石英晶体微天平传感器的方法，其特征在于，该方法包括： S1，配制碳酸盐岩混合沉积溶液； S2，将所述碳酸盐岩混合沉积溶液进行离心处理后取上层清液； S3，将所述上层清液持续引入至设置有传感器芯片的电化学流通池中以进行沉积处理，所述沉积处理的条件满足：电压为-0.5V至-1V，通电时间为10-20min；且持续引入所述上层清液的时间≥20min； S4，将步骤S3后得到的传感器芯片在断电条件下进行稳定处理后取所述传感器芯片进行干燥处理；所述稳定处理的时间为5-20min； 其中，在S1中，所述配制碳酸盐岩混合沉积溶液的步骤包括： S11，分别配制浓度为1-50mM的第一溶液，浓度为1-50mM的NaHCO3溶液；所述第一溶液和所述NaHCO3溶液中均还含有100-500mM的NaNO3作为背景电解质溶液；所述第一溶液中含有CaCl2和或MgCl2； S12，分别调节S11中得到的所述第一溶液和所述NaHCO3溶液的pH值至中性； S13，在搅拌条件下，将S12中得到的所述NaHCO3溶液逐滴加入到所述第一溶液中，得到所述碳酸盐岩混合沉积溶液。

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