镓特半导体科技(上海)有限公司杨三贵获国家专利权
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龙图腾网获悉镓特半导体科技(上海)有限公司申请的专利高平整度HVPE氮化镓单晶衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483273B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211134400.2，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权高平整度HVPE氮化镓单晶衬底及其制备方法是由杨三贵;李起鸣设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本高平整度HVPE氮化镓单晶衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了高平整度HVPE氮化镓单晶衬底及其制备方法，所述高平整度HVPE氮化镓单晶衬底为2"时，TTV＜3μm，Bow＜±3μm，Warp＜8μm，所述高平整度HVPE氮化镓单晶衬底为4"时，TTV＜5μm，Bow＜±5μm，Warp＜10μm。本发明的有益效果是经过两次退火处理后，可以有效改善氮化镓衬底片表面的平整度，得到的氮化镓单晶衬底的TTV、Bow和Warp得到了明显改善。
本发明授权高平整度HVPE氮化镓单晶衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.高平整度HVPE氮化镓单晶衬底的制备方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1、第一次退火：对HVPE后的氮化镓单晶衬底在原生长炉里进行原位退火，在800℃-1000℃下，保持2h-4h，以2℃min的速度降至300℃，再降至常温；步骤2、第二次退火：在退火炉内的退火架上水平放置经过第一次退火的氮化镓单晶衬底，在700℃-950℃下保持2h-3h，以3℃min的速度降至300℃，再降至常温，步骤3、双面粗抛光；步骤4、单面半精抛；步骤5、精抛光，所述高平整度HVPE氮化镓单晶衬底为2"时，TTV＜3μm，Bow＜±3μm，Warp＜8μm，所述高平整度HVPE氮化镓单晶衬底为4"时，TTV＜5μm，Bow＜±5μm，Warp＜10μm。
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