富士电机株式会社小宫山典宏获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置的制造方法以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180030559.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置的制造方法以及半导体装置是由小宫山典宏;野口晴司;伊仓巧裕;樱井洋辅;原田祐一设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法以及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备如下注入工序：从半导体基板的注入面向第一注入位置注入第一导电型的第一掺杂剂，在注入第一掺杂剂后，从半导体基板的注入面向距注入面的距离比第一注入位置距注入面的距离更大的第二注入位置注入第一导电型的第二掺杂剂。第一注入位置和第二注入位置可以配置在缓冲区。
本发明授权半导体装置的制造方法以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是具备半导体基板的半导体装置的制造方法， 所述半导体基板具有：第一导电型的漂移区；以及缓冲区，其设置在所述漂移区与所述半导体基板的注入面之间，掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高， 所述半导体装置的制造方法具备如下注入工序： 从所述半导体基板的所述注入面向所述缓冲区的第一注入位置注入第一导电型的第一掺杂剂，在注入所述第一掺杂剂后，从所述半导体基板的所述注入面向所述缓冲区的第二注入位置注入所述第一导电型的第二掺杂剂，所述第二注入位置是距所述注入面的距离比所述第一注入位置距所述注入面的距离更大的位置， 所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的至少一者是氢离子， 所述半导体装置的制造方法还具备： 通过区域形成工序，以所述半导体基板的厚度的一半以上的射程从所述注入面注入带电粒子，从而形成通过区域，所述通过区域是所述带电粒子通过的所述半导体基板的区域；以及 氢扩散工序，在所述通过区域形成工序和所述注入工序之后，通过对所述半导体基板进行退火，从而使氢扩散。
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