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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211030768.4，技术领域涉及：H10D30/64；该发明授权一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件是由任敏;任心宇;吴逸凝;雷清滢;叶昶宇;李泽宏设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件，其元胞结构包括金属化漏极、位于金属化漏极之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底、位于第一导电类型半导体衬底之上的轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层；位于所述轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层之上的第二导电类型半导体体区；本发明通过采用非对称的结构，在多晶硅栅的一侧形成垂直沟道，另一侧形成L型的沟道，使载流子流经的沟道区更长，迁移率对漏极电流温度系数的影响增大，从而更早的使器件进入电流负温度特性区间，降低器件漏极电流的零温度点。此外还可以通过调整L型沟道和垂直沟道的比例，来改变器件的沟道电阻。

本发明授权一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件，其特征在于：其元胞结构包括金属化漏极1、位于金属化漏极1之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底2、位于第一导电类型半导体衬底2之上的轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3；位于所述轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3之上的第二导电类型半导体体区4； 所述轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3的顶部具有沟槽，所述沟槽的下表面低于第二导电类型半导体体区4的下表面，所述第二导电类型半导体体区4上设有左右两个多晶硅栅电极13，所述多晶硅栅电极13呈L型，多晶硅栅电极13包括位于第二导电类型半导体体区4侧面的垂直段和位于第二导电类型半导体体区4上方的水平段； 左侧的多晶硅栅电极13与第二导电类型半导体体区4通过第二栅氧化层11实现隔离；右侧的多晶硅栅电极13与第二导电类型半导体体区4通过第一栅氧化层10实现隔离； 所述第一栅氧化层10与右侧的第二导电类型半导体体区4相接触的半导体区域为第一沟道区5；所述第二栅氧化层11与左侧的第二导电类型半导体体区4相接触的半导体区域为第二沟道区6；所述第二导电类型半导体体区4的顶部在两个多晶硅栅电极13之间具有第一导电类型半导体重掺杂源区I7、第一导电类型半导体重掺杂源区II9和第二导电类型半导体重掺杂接触区8；所述第一导电类型半导体重掺杂源区I7的侧面和第一沟道区5直接接触；所述第一导电类型半导体重掺杂源区II9的侧面和第二沟道区6直接接触；金属通孔14位于第二导电类型半导体重掺杂接触区8、第一导电类型半导体重掺杂源区II9上方，所述第二导电类型半导体重掺杂接触区8、第一导电类型半导体重掺杂源区I7、第一导电类型半导体重掺杂源区II9通过上方的金属通孔14与位于器件上表面的金属化源极15相接触；多晶硅栅电极13通过氧化层12实现与金属化源极15、金属通孔14、第一导电类型半导体重掺杂源区I7、第一导电类型半导体重掺杂源区II9、轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3的隔离。

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