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芯和半导体科技(上海)有限公司代文亮获国家专利权

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龙图腾网获悉芯和半导体科技(上海)有限公司申请的专利一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115358180B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210998822.8,技术领域涉及:G06F30/367;该发明授权一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法是由代文亮;凌峰;刘萍;蒋历国设计研发完成,并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法,属于电磁仿真领域。针对现有多导体传输线二维参数提取难以考虑地平面粗糙度且精度低的问题,本发明提供一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法,它包括将地平面作为信号线,求出频变电阻矩阵;将频变电阻矩阵进行对角化得到特征值矩阵和特征向量矩阵,记录地平面对应的特征值,将其分别乘以对应的表面粗糙度系数,去除地平面元素得到缩减后的矩阵,将特征值矩阵中的每个元素进行粗糙度计算后得到新的特征值矩阵,进行最终电阻矩阵的求取。本发明在多导线时运用特征值法进行折算地平面的粗糙度,更准确计算出考虑地平面粗糙度的多导线电阻,提高电阻矩阵提取的准确度。

本发明授权一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法在权利要求书中公布了:1.一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法,其特征在于:包括以下步骤: S1:将地平面作为信号线,按照信号线的数量计算原始频变电阻矩阵[R]; S2:原始频变电阻矩阵[R]进行对角化处理,得到原始特征值矩阵和原始特征向量矩阵[S]; S3:记录地平面对应的特征值,将特征值乘以对应的表面粗糙度系数; S4:原始频变电阻矩阵[R]进行去除地平面信号线值,原始频变电阻矩阵[R]缩减为二次频变电阻矩阵[R], S5:二次频变电阻矩阵[R],进行对角化处理,得到二次特征值矩阵,和二次特征向量矩阵[S], S6:对二次特征值矩阵,中的每个元素进行提取,对每个元素进行电阻求取后,得到三次特征值矩阵,,; S7:将三次特征值矩阵,,左右两边分别乘以和二次特征向量矩阵[S],,得到最终的电阻矩阵[R],,,所述即为二次特征向量矩阵[S],的逆矩阵; 所述步骤S6中电阻求取具体包括如下步骤: S61:将单根信号线的电阻分为导体上表面电阻;导体下表面电阻;上地平面表面电阻;下地平面表面电阻; S62:建立导体上表面电阻、导体下表面电阻、上地平面表面电阻和下地平面表面电阻连接关系的电路模型,得到电阻关系式; S63:在电路模型的基础上,将导体上下表面和地平面上下表面的粗糙度系数分别加入电阻关系中,得到单根信号线的最终电阻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人芯和半导体科技(上海)有限公司,其通讯地址为:201210 上海市浦东新区纳贤路60弄5号4层01室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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