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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210783947.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法是由李佳豪;蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞;苏海伟设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法，多个预设区域从左至右依序为：第一预设区域、第二预设区域、第三预设区域、第四预设区域和第五预设区域；第三预设区域包括形成于外延层上的第一P型阱区，以及形成于第一P型阱区之内的两个分段掺杂区，每个分段掺杂区包括至少一个第五N+区和至少一个第四P+区，第五N+区和第四P+区沿深度方向排列设计，介质层中包括对应于第三预设区域内的每个分段掺杂区和第四N+区的接触孔，分段掺杂区上方的接触孔的覆盖范围涉及分段掺杂区内每一个第五N+区和第四P+区。提供一种小骤回或不骤回、导通电阻和钳位电压都更小的TVS器件。

本发明授权一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低电容阵列瞬态电压抑制器，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，形成于所述衬底上，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型不同； 多个预设区域，多个所述预设区域分别被隔离结构隔离，多个预设区域从左至右依序为：第一预设区域、第二预设区域、第三预设区域、第四预设区域和第五预设区域； 隔离结构，所述隔离结构纵向的自所述外延层的上表面贯穿所述外延层并延伸至所述衬底中； 所述第一预设区域和所述第五预设区域内依序分别包括形成于所述外延层内的第一P+区、第一N+区和第二P+区； 所述第二预设区域和所述第四预设区域内依序分别包括形成于所述外延层内的第二N+区、第三P+区和第三N+区； 所述第三预设区域包括：形成于所述外延层上的第一P型阱区、形成于所述第一P型阱区内的第二P型阱区、形成于所述第二P型阱区内的第四N+区，以及形成于所述第一P型阱区之内的两个分段掺杂区；两个分段掺杂区分别位于所述第二P型阱区的左右两侧； 每个分段掺杂区包括至少一个第五N+区和至少一个第四P+区，所述第五N+区和所述第四P+区沿深度方向排列设计； 介质层，形成于所述外延层的上表面，介质层中包括对应于第一预设区域、第二预设区域、第四预设区域、第五预设区域内的每个P+区和N+区的接触孔、以及对应于第三预设区域内的每个分段掺杂区和第四N+区的接触孔； 所述分段掺杂区上方的接触孔的覆盖范围涉及分段掺杂区内每一个第五N+区和第四P+区； 多个金属层，分别形成于每个接触孔中； 通过改变分段掺杂区中的P+区和N+区的面积比例，以得到不同的骤回电压值。

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