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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种碳化硅MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110454952.0，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种碳化硅MOS器件及其制备方法是由万彩萍;许恒宇;叶甜春设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅MOS器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了采用超高温氧化或者采用不同气氛的高温退火工艺改善栅氧化层工艺复杂、条件苛刻的问题。该器件包括依次层叠的下表面电极、SiC外延片、栅氧化层和多晶硅电极，多晶硅电极内注入的五价元素和或三价元素扩散至栅氧化层。该方法为对SiC外延片进行氧化处理，上表面的氧化层作为栅氧化层，在上表面的氧化层表面形成多晶硅层；向多晶硅层注入五价元素和或三价元素，激活退火，使得五价元素和或三价元素扩散至栅氧化层，对多晶硅层进行构图工艺形成多晶硅电极，得到碳化硅MOS器件主要包括MOSFET器件及MOS电容器件等。该碳化硅MOS器件及方法可用于电力电子设备。

本发明授权一种碳化硅MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一SiC外延片； 对SiC外延片进行氧化处理，使得SiC外延片的上表面和下表面形成氧化层，上表面的氧化层作为栅氧化层，在上表面的氧化层表面形成多晶硅层； 向多晶硅层注入五价元素和或三价元素，得到离子注入样品； 对离子注入样品进行激活退火，激活退火是针对多晶硅电极的退火，使得五价元素和或三价元素扩散至全部栅氧化层，五价元素和或三价元素扩散至栅氧化层和SiC外延片的界面处，注入的五价元素和或三价元素与栅氧化层中残留的所有C团簇和O空位形成Si≡N和C≡N键，对多晶硅层进行构图工艺形成多晶硅电极，得到碳化硅MOS器件； 所述对SiC外延片进行氧化处理之前，还包括如下步骤： 首先，将SiC外延片浸在体积比为1：1~2的浓度为98wt%的浓硫酸和27wt%的双氧水混合液中，于90~100℃温度下水浴加热15~18min，用去离子水清洗后，N2吹干；然后，将SiC外延片浸在体积比为1：1~1.2的浓度为28wt%的氨水和27wt%的双氧水混合溶液中，水浴加热15~20min，用去离子水清洗后，N2吹干；最后，将SiC外延片浸在体积比为1：1~1.5的浓度为10wt%的盐酸和27wt%的双氧水混合溶液中，于90~100℃温度下水浴加热15~20min，用去离子水清洗后，N2吹干。

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