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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种串联式双栅LIGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210598880.1，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种串联式双栅LIGBT器件及其制造方法是由章文通;赵泉钰;何佳敏设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种串联式双栅LIGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：发明提供一种串联式双栅LIGBT器件及制造方法。第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向场板，所述纵向场板分布在整个第二导电类型漂移区中，形成有纵向场板阵列的匀场IGBT器件。同时以兼容工艺在IGBT阴极端形成低压控制电压电路，如MOS。在低压控制电压电路两侧以兼容工艺制作纵向场板结构，将纵向场板作为介质隔离槽进行高低压隔离。以MOS为例，将低压MOS漏端与IGBT阴极相短接，形成两个串联的器件，栅极短接，以相同栅压同时控制两个器件。由于二者串联，MOS的电流大小即为IGBT的电流大小，因此可以通过改变低压MOS的栅压来改变电流从而限定整个器件的电流，抑制寄生的p‑n‑p‑n闩锁开启。

本发明授权一种串联式双栅LIGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种串联式双栅LIGBT器件，其特征在于分为低压部分和高压部分： 高压部分包括：位于第一导电类型半导体衬底11上方的第四介质埋氧层34，位于第四介质埋氧层34上方的第二导电类型漂移区21，第一导电类型阱区12位于第二导电类型漂移区21的左侧，第二导电类型阱区22位于第二导电类型漂移区21的右侧，第一导电类型重掺杂阴极区15和第二导电类型重掺杂阴极区25位于第一导电类型阱区12中；阴极区金属54位于第一导电类型重掺杂阴极区15和第二导电类型重掺杂阴极区25的上表面，阳极区金属55位于第一导电类型重掺杂阳极区16的上表面；第一导电类型重掺杂阳极区16位于第二导电类型阱区22中；第二介质氧化层32位于第一导电类型阱区12上方，并且左端与第二导电类型重掺杂阴极区25相接触，右端与第二导电类型漂移区21相接触；第三介质氧化层33位于第二介质氧化层32与第一导电类型重掺杂阳极区16之间的第二导电类型漂移区21的上表面；控制栅多晶硅电极42覆盖在第二介质氧化层32的上表面并部分延伸至第三介质氧化层33的上表面； 低压部分包括：第一导电类型阱区12，位于第一导电类型阱区12中的第一导电类型重掺杂源区13、第二导电类型重掺杂源区23和第二导电类型重掺杂漏区24；第二介质氧化层32位于第一导电类型阱区12上方，并且左端与第二导电类型重掺杂源区23相接触，右端与第二导电类型重掺杂漏区24相接触；控制栅多晶硅电极42覆盖在第二介质氧化层32的上表面，第三介质氧化层33位于多晶硅电极41上方；漏端金属53位于第二导电类型重掺杂漏区24的上表面，源端金属52位于第一导电类型重掺杂源区13和第二导电类型重掺杂漏区24的上表面； 第一介质氧化层31和多晶硅电极41构成纵向场板，且第一介质氧化层31包围多晶硅电极41，所述纵向场板分布在整个第二导电类型漂移区21中，形成纵向场板阵列；并且以与漂移区内纵向场板相同的工艺同时在阴极区以及源端形成纵向场板，该纵向场板贯穿第一类型导电阱区12和第二导电类型漂移区21至第四介质埋氧层34，该纵向场板同时在z方向穿通，作为介质隔离槽分布在低压区两侧，该低压区两侧的多晶硅电极41接地；分布在整个第二导电类型漂移区21中的纵向场板在x方向等间距分布、且通过通孔与金属条51连接，形成体内等势环；阴极区到阳极区水平方向为x方向，纵向场板深度向下方向为y方向，垂直于xy平面向内方向为z方向。

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