台湾积体电路制造股份有限公司訾安仁获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利降低光阻消耗的方法及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115202155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210690784.X，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权降低光阻消耗的方法及半导体结构的形成方法是由訾安仁;翁明晖;张庆裕设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低光阻消耗的方法及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本揭露是关于一种降低光阻消耗RRC的方法及半导体结构的形成方法。降低光阻消耗的方法包含利用RRC组合物处理基材的表面；以及形成包括含金属材料的光阻层于经RRC组合物处理后的表面上。RRC组合物包含溶剂，以及酸或碱。溶剂具有10至25的分散参数。酸具有‑20至6.8的酸解离常数，且碱具有7.2至45的酸解离常数。
本发明授权降低光阻消耗的方法及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种降低光阻消耗的方法，其特征在于，包含： 利用一光阻消耗组合物处理一基材的一表面；以及 形成包含一含金属材料的一光阻层于经该光阻消耗组合物处理后的该表面上， 其中该光阻消耗组合物包含： 一第一溶剂，具有10至25的一分散参数、3至25的一极性参数及4至30的一氢键结参数；以及 酸或碱，其中该酸具有-20至6.8的一酸解离常数，且该碱具有7.2至45的一酸解离常数。
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