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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109611.4，技术领域涉及：H10W42/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由林亮臣设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一和第二核心区域；第一和第二输入输出IO区域，彼此耦合并耦合至第一和第二核心区域；第一和第二IO区域介于可消耗区域和对应的第一和第二核心区域之间；密封环，围绕核心区域和IO区域；金属化层和互连层；相互通信inter‑com段，在IO区域之间延伸；第一和第二护壁，从密封环的第一侧延伸到第三侧或从对应的第三和第四护壁上的第一位置延伸到第二位置，后者从密封环的第一侧延伸到第三侧；第一护壁介于第一核心区域和第一IO区域之间；并且第二护壁介于第二核心区域和第二IO区域之间。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 核心电路的第一核心区域和第二核心区域； 接口电路的第一输入输出区域和第二输入输出区域，彼此耦合并对应地耦合至所述第一核心区域和第二核心区域， 可消耗区域； 相对于第一方向：所述可消耗区域介于所述第一输入输出区域和所述第二输入输出区域之间；所述第一输入输出区域介于所述可消耗区域和所述第一核心区域之间；并且所述第二输入输出区域介于所述可消耗区域和所述第二核心区域之间； 密封环，具有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，所述密封环围绕所述第一核心区域和所述第二核心区域以及所述第一输入输出区域和所述第二输入输出区域； 金属化层； 互连层，在所述金属化层之间交错； 相互通信段，位于所述金属化层的子集中，每个所述相互通信段对应地在所述第一输入输出区域和所述第二输入输出区域之间延伸并由此耦合所述第一输入输出区域和所述第二输入输出区域； 第一护壁和第二护壁，每一个都从所述密封环的第一侧延伸到第三侧或从对应的第三护壁和第四护壁上的第一位置延伸到第二位置，所述第三护壁和所述第四护壁中的每一个都从所述密封环的第一侧延伸到第三侧； 所述第一护壁介于所述第一核心区域和所述第一输入输出区域之间并与所述第一核心区域和所述第一输入输出区域中的每一个隔离；并且 所述第二护壁介于所述第二核心区域和所述第二输入输出区域之间并与所述第二核心区域和所述第二输入输出区域中的每一个隔离。

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