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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110842318.4，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权半导体存储装置是由中泽新悟设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的半导体存储装置具备：多个第1导电层；多个第2导电层；第1半导体层，设置在这些导电层之间；电荷储存层，具备设置在多个第1导电层与第1半导体层之间的第1部分、及设置在多个第2导电层与第1半导体层之间的第2部分；及第1配线，与第1半导体层电连接。该半导体存储装置构成为能够执行读出动作与第1动作。在读出动作中，对从第1方向的一侧数起第n个n为1以上的整数第1导电层供给读出电压，且对多个第1导电层中的至少一部分供给读出路径电压。在第1动作中，对第1配线供给第1电压，对从第1方向的一侧数起第n个第2导电层供给小于第1电压的第2电压。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 多个第1导电层，沿第1方向排列； 多个第2导电层，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述多个第1导电层相隔配置，且沿所述第1方向排列； 第1半导体层，设置在所述多个第1导电层与所述多个第2导电层之间，在所述第1方向上延伸，且与所述多个第1导电层及所述多个第2导电层对向； 电荷储存层，具备第1部分及第2部分，所述第1部分设置在所述多个第1导电层与所述第1半导体层之间，所述第2部分设置在所述多个第2导电层与所述第1半导体层之间；及 第1配线，与所述第1半导体层电连接；且 所述半导体存储装置构成为能够执行读出动作与在所述读出动作之前执行的第1动作； 在所述读出动作中： 对所述多个第1导电层中从所述第1方向的一侧数起第n个所述第1导电层供给读出电压，其中，n为1以上的整数； 对所述多个第1导电层中的至少一部分供给大于所述读出电压的读出路径电压；及 对所述多个第2导电层中从所述第1方向的所述一侧数起第n个所述第2导电层供给第2电压； 在所述第1动作中： 对所述第1配线供给大于所述第2电压的第1电压； 对所述第n个第2导电层供给所述第2电压；及 对所述多个第1导电层中的至少一部分供给小于所述读出路径电压的电压；且 所述第n个第2导电层的电压，从所述第1动作中的第1时序至所述读出动作中感测动作结束的第2时序的期间，维持于所述第2电压。

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