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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761867.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法是由章文通;刘雨婷;吴凌颖设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、通过刻槽后离子注入并高温推结形成的第一导电类型埋层和第二导电类型埋层、位于器件表面的多晶硅栅电极，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，第一导电类型埋层和第二导电类型埋层位于衬底内，所刻槽采用介质填充；本发明通过在衬底内引入第一导电类型埋层与第二导电类型埋层，在器件体内形成更大曲率，优化了器件体内电场分布，能够实现缩短漂移区距离，解决器件的横向耐压问题。

本发明授权基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于体内曲率扩展的LDMOS结构，其特征在于包括： 第一导电类型半导体衬底11、第二导电类型漂移区21、第一导电类型阱区12、第一导电类型半导体接触区A13、第二导电类型半导体接触区A22和第二导电类型半导体接触区B23、第一导电类型埋层A14、第二导电类型埋层A24、第一介质氧化层31、第二介质氧化层32、第三介质氧化层33、多晶硅栅电极41； 其中，第一导电类型埋层A14位于第一导电类型半导体衬底11的左侧，第二导电类型埋层A24位于第一导电类型半导体衬底11的右侧，第二导电类型漂移区21位于第一导电类型半导体衬底11上方，第一导电类型阱区12位于第二导电类型漂移区21中的左侧；重掺杂的第二导电类型半导体接触区B23位于第二导电类型漂移区21中的右侧，重掺杂的第一导电类型半导体接触区A13和第二导电类型半导体接触区A22位于第一导电类型阱区12中；第一介质氧化层31位于第一导电类型阱区12上方且部分位于第二导电类型漂移区21上方，第二介质氧化层32位于第二导电类型漂移区21上方；第三介质氧化层33通过刻槽后填充介质形成；左边的第三介质氧化层33位于第二导电类型漂移区21内且底部伸入第一导电类型半导体衬底11中的第一导电类型埋层A14内，且其位于第一导电类型阱区12内的部分右侧与第一导电类型半导体接触区A13左侧相接；右边的第三介质氧化层33位于第二导电类型漂移区21内且底部伸入第一导电类型半导体衬底11中的第二导电类型埋层A24内，且在第二导电类型漂移区21内位于第二导电类型半导体接触区B23内左侧；多晶硅栅电极41覆盖在第一介质氧化层31的上表面并部分延伸至第二介质氧化层32的上表面；从源极到漏极的方向为X，器件从表面到体内的方向为Y，Z方向垂直于XOY平面；重掺杂的掺杂浓度大于1E19cm-3。

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