台湾积体电路制造股份有限公司戴志轩获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210138450.1，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体结构及其测试方法是由戴志轩;吴旻锺;陈国文;陆湘台设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其测试方法在说明书摘要公布了：提供半导体结构及其测试方法。根据本发明的半导体结构包括：衬底、位于衬底上方的半导体器件，其中，半导体器件包括互连结构，该互连结构包括设置在介电层中的多个金属化层；以及分层传感器。分层传感器包括连接结构和位于多个金属化层中的至少一个金属化层中的多个接触通孔。连接结构将半导体器件接合至衬底并且不将半导体器件在功能上耦合至衬底。多个接触通孔落入连接结构的垂直投影区域的第一区内，但不与垂直投影区域的第二区重叠。
本发明授权半导体结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试半导体结构的方法，包括： 提供半导体器件封装件，所述半导体器件封装件包括： 封装衬底， 半导体器件，位于所述封装衬底上方，其中，所述半导体器件包括互连结构，并且所述互连结构包括设置在介电层中的多个金属化层，以及 至少一个分层传感器，包括： 连接结构，将所述半导体器件接合至所述封装衬底，以及 多个接触通孔，位于所述多个金属化层中的至少一个金属化层中，其中，所述多个接触通孔落入所述连接结构的垂直投影区域的第一区内，但不与所述垂直投影区域的第二区重叠；以及 通过仅测试所述至少一个分层传感器来筛选整个所述半导体器件封装件的分层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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