复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司陈鲲获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利内侧墙制作方法、器件的制备方法、器件以及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210682332.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权内侧墙制作方法、器件的制备方法、器件以及设备是由陈鲲;杨静雯;孙新;徐敏;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本内侧墙制作方法、器件的制备方法、器件以及设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种内侧墙制作方法，该方法包括：提供一衬底；衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；刻蚀牺牲层、沟道层和衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；形成沿第二方向排列的若干假栅结构；刻蚀每个鳍结构形成若干源漏空腔；刻蚀每个鳍结构中牺牲层的沿第二方向上的两端，形成内墙空腔；以牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内墙；电介质材料填充于内墙空腔中；在源漏空腔中外延源漏层。本发明提供的技术方案通过在牺牲层的表面选择性生长电介质材料，解决了刻蚀附带损伤无法避免的问题，从而减少了附带损伤。
本发明授权内侧墙制作方法、器件的制备方法、器件以及设备在权利要求书中公布了：1.一种内侧墙制作方法，其特征在于，该方法包括： 提供一衬底；所述衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层； 刻蚀所述牺牲层、所述沟道层和所述衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；并形成位于相邻所述若干鳍结构之间的浅沟槽隔离结构； 形成沿第二方向排列的若干假栅结构；所述假栅结构位于所述若干鳍结构上，且每个假栅结构横跨所述若干鳍结构中的每个鳍结构； 刻蚀每个所述鳍结构形成若干源漏空腔； 刻蚀每个所述鳍结构中所述牺牲层的沿所述第二方向上的两端，形成内墙空腔； 以所述牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内侧墙，包括：利用沟道层的材料表面和牺牲层的材料表面的性质差别；使用前驱体材料，使得电介质材料只在牺牲层表面生长；从而最终电介质材料以牺牲层表面为基础生长；实现了沉淀的电介质材料仅填充于内墙空腔中的目的，以最终形成内侧墙；所述电介质材料填充于所述内墙空腔中； 在所述源漏空腔中外延源漏层。
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