联华电子股份有限公司冯仲彦获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110207876.3，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法是由冯仲彦;郭镇铵;邓经纬;赖柏均设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法，其中该横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管包含一半导体基底，一阱区设置于半导体基底中，一基体区设置于阱区中，一第一栅极电极设置于半导体基底上，一源极电极设置在第一栅极电极的一侧，其中源极电极包含一源极接触区和多个插栓，并且插栓和源极接触区相连，插栓延伸插入半导体基底中，一第一漏极电极设置在第一栅极电极相对源极电极的另一侧。
本发明授权横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种横向双扩散的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，包含： 半导体基底； 阱区，设置于该半导体基底中； 基体body区，设置于该阱区中； 第一栅极电极，设置于该半导体基底上； 源极电极，设置在该第一栅极电极的一侧，其中该源极电极是通过将导电层填入源极接触洞而形成的，其中该源极接触洞包含沟槽和多个通孔，该多个通孔和该沟槽相连，该多个通孔插入该半导体基底中，并且该沟槽只位于该半导体基底上，在该沟槽中的导电层形成源极接触区，在该多个通孔中的导电层形成多个插栓；以及 第一漏极电极，设置在该第一栅极电极相对该源极电极的另一侧。
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