天狼芯半导体(成都)有限公司曾健忠获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种介电结构的制备方法、介电结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210451165.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种介电结构的制备方法、介电结构是由曾健忠设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种介电结构的制备方法、介电结构在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种介电结构的制备方法、介电结构，通过采用氮化硅层作为保护层，对其与衬底之间的氮化硅层进行氧化处理形成介电层，并在氮化硅层的位置形成具有角度的接触金属层，从而提升金属半导体接触部分的金属边缘的半导体反向电场，达到提高功率器件的反向耐压和可靠度的目的。
本发明授权一种介电结构的制备方法、介电结构在权利要求书中公布了：1.一种介电结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层包括第一半导体区和与所述第一半导体区相邻的第二半导体区； 在所述第一半导体区上形成氮化硅层； 以所述氮化硅层作保护层对所述第二半导体区的第一半导体材料进行氧化处理形成介电层； 去除所述氮化硅层； 去除所述第一半导体区未被氧化的部分，使得所述介电层与所述衬底之间形成角度，并在所述第一半导体区的位置形成接触金属层，以形成具有角度的所述接触金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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