天狼芯半导体(成都)有限公司曾健忠获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利金半接触器件的结构、制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210454849.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权金半接触器件的结构、制造方法及电子设备是由曾健忠设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本金半接触器件的结构、制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：一种金半接触器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括衬底、边缘环结构和金属层；边缘环结构位于衬底中；金属层覆盖衬底且显露边缘环结构；其中，边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；n为大于1的自然数；第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；i为小于n的正整数；由于金属层覆盖所述衬底且显露所述边缘环结构，同时，边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；使得金属层的边缘因嵌套的离子掺杂阱区形成逐渐减弱的电场分布，提高了器件最大反向偏压和器件的可靠度。
本发明授权金半接触器件的结构、制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种金半接触器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 步骤A：在衬底或者第m复合层上形成第m+1复合层；其中，第m复合层包括第m凹槽和m个材料区，第m材料区至第1材料区线性依次排列；第m+1复合层包括第m+1凹槽和m+1个材料区，第m+1材料区至第1材料区线性依次排列；m为小于等于n的正整数； 重复n次步骤A，以形成第n复合层；n为大于1的整数； 步骤B：在第j复合层上表面离子注入，以在所述衬底的第j凹槽所在位置形成第n-j+1离子掺杂阱区；j为小于等于n的正整数； 步骤C：移除所述第j复合层中的第j材料区以形成第j-1复合层；或者移除第1复合层以显露所述衬底； 重复n次步骤B和步骤C，以形成边缘环结构；所述边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；n为大于1的自然数；第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；i为小于n的正整数； 步骤D：在所述衬底上表面形成金属层；所述金属层覆盖所述衬底且显露所述边缘环结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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