买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210493870.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法是由包文中;朱宇轩;夏银;缑赛飞;张卫设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法。本发明制备方法包括：硅二氧化硅或蓝宝石衬底上的单层或多层二维半导体材料的制备、氧化物介质层的生长、氧化物介质层上的顶栅金属电极的沉积、氧化物介质层选择性刻蚀以及与二维材料边缘接触的源漏金属电极的自对准沉积。本发明利用选择性腐蚀所形成的微结构作为硬掩膜自对准沉积源漏的金属材料，相较于非自对准工艺省略了源漏图形化套刻的步骤，避免因尺寸缩小所导致的对准偏差问题，更易于制备短沟道场效应晶体管，因此，该制备方法在尺寸不断微缩的先进工艺中有广阔的应用前景。

本发明授权一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法，所述场效应晶体管包括：绝缘衬底、衬底的上单层或多层二维半导体材料、氧化物介质层、顶层金属栅电极、以及与二维材料连接的金属源、漏电极；其特征在于，制备的具体步骤如下： 1在绝缘衬底表面制备得到二维半导体材料； 2用通过光刻或者掩模的方法定义出有源沟道区并通过干法刻蚀，刻蚀沟道以外的二维半导体材料； 3在二维半导体材料表面原位淀积氧化物介质层； 4在氧化物介质层表面用光刻或者掩模的方法定义出小尺寸栅电极区，并淀积两层金属作为栅电极，顶层金属作为刻蚀阻挡层，之后进行去胶处理； 5对整个平面进行干法刻蚀，以减薄氧化物介质层，后进行各向同性湿法刻蚀以形成底切结构，未被栅电极遮挡的氧化物介质层被刻蚀完全，露出二维半导体材料后即停止刻蚀； 所述的干法刻蚀是使用F+、Ar2、O2或BCl3对氧化物介质层的选择性刻蚀； 6用光刻或者掩模的方法定义出源漏区域，并以栅电极作为自对准硬掩模，在露出的二维半导体材料上沉积金属电极，控制源漏金属电极的厚度不超过氧化物介质层的厚度，完成自对准晶体管的制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人复旦大学，其通讯地址为：200433 上海市杨浦区邯郸路220号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。