东阳富仕特磁业有限公司杨杭福获国家专利权
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龙图腾网获悉东阳富仕特磁业有限公司申请的专利一种高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210614453.8，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法是由杨杭福;吴琼;葛洪良;张方远;申屠航;李宇航设计研发完成，并于2022-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，包括以下步骤：按照Sm，Re2Co,A17合金成分混合后，并加入适量BiI3，经过磁场取向成型，得到钐钴磁体生坯；将钐钴磁体生坯在一定温度条件下进行真空预烧，形成内部具有网状通道结构的磁体；将软磁相纳米级Fe或Co粉末与有机溶剂混合形成扩散源混合溶液，将预烧完成的钐钴磁体浸没到混合溶液中，取出后放入真空烘箱中，干燥。本发明通过BiI3升华技术，使软磁相和掺杂元素能够有效进入钐钴磁体的晶界，提高软硬磁相得耦合作用和钉扎作用，提高矫顽力和最大磁能积。该制备方法工艺简单，成本低，引入的杂相更少，能够最大程度保持硬磁相的磁性能。
本发明授权一种高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤： S1、配料阶段：将Sm,Re和Co,A合金粉末按照原子比2:17的比例混合，并加入适量BiI3，经过磁场取向成型，得到钐钴磁体生坯； S2、预烧阶段：将钐钴磁体生坯在一定温度条件下进行真空预烧，形成内部具有网状通道结构的磁体； S3、涂敷阶段：将软磁相纳米级Fe或Co粉末与有机溶剂混合形成扩散源混合溶液，将预烧完成的钐钴磁体浸没到混合溶液中，取出后放入真空烘箱中，干燥，反复3~5次； S4、烧结扩散阶段：将涂敷得到的磁体在氩气保护和强磁场下热处理，得到钐钴复合永磁磁体； S1中，BiI3在磁体中所占质量分数为0.1-3wt%，将钐钴磁粉在1～10T磁场下充分取向并压制成型，其中，坯体的大小为直径5~50mm，厚度为大于等于1mm小于10mm。
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