国际商业机器公司A.雷兹尼切克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利纳秒非破坏性可擦除磁阻随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747031B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080345.6，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权纳秒非破坏性可擦除磁阻随机存取存储器是由A.雷兹尼切克;E.R.埃瓦茨;V.V.门塔;B.赫克马特沙尔泰伯里设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳秒非破坏性可擦除磁阻随机存取存储器在说明书摘要公布了：一种可擦除磁阻随机存取存储器MRAM结构及其制造方法，包括设置在位线电路元件与字线电路元件之间的MRAM单元，以及设置在MRAM单元上方的垂直腔表面发射激光器VCSEL元件。VCSEL的激光输出被引导朝向MRAM单元。
本发明授权纳秒非破坏性可擦除磁阻随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁阻随机存取存储器MRAM结构，包括： 设置在位线电路元件与字线电路元件之间的至少一个MRAM单元；以及 设置在所述MRAM单元或每个MRAM单元上方的垂直腔表面发射激光器VCSEL元件，其中所述VCSEL的激光输出被引导朝向所述MRAM单元或每个MRAM单元， 其中，所述至少一个MRAM单元被包裹在第一电介质材料中，所述VCSEL元件被包裹在第二电介质材料中，并且所述第二电介质材料沉积在所述第一电介质材料上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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