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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利具有种子层或夹层以防止Sb扩散并促进BiSb(012)取向的BiSb拓扑绝缘体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080286.2，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权具有种子层或夹层以防止Sb扩散并促进BiSb(012)取向的BiSb拓扑绝缘体是由乐广;黄承业;B·R·约克;安德鲁·陈;T·A·阮;安容彻;刘晓勇;姜洪权;高征;何国新设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有种子层或夹层以防止Sb扩散并促进BiSb(012)取向的BiSb拓扑绝缘体在说明书摘要公布了：一种自旋轨道转矩SOT磁隧道结MTJ器件包括衬底、衬底上方的种子以及位于该种子层上具有0120取向的铋锑BiSb层。种子层包括硅化物层和表面控制层。硅化物层包含NiSi、NiFeSi、NiFeTaSi、NiCuSi、CoSi、CoFeSi、CoFeTaSi、CoCuSi或它们的组合的材料。表面控制层包含NiFe、NiFeTa、NiTa、NiW、NiFeW、NiCu、NiCuM、NiFeCu、CoTa、CoFeTa、NiCoTa、Co、CoM、CoNiM、CoNi、NiSi、CoSi、NiCoSi、Cu、CuAgM、CuM或它们的组合的材料，其中M是Fe、Cu、Co、Ta、Ag、Ni、Mn、Cr、V、Ti或Si。

本发明授权具有种子层或夹层以防止Sb扩散并促进BiSb(012)取向的BiSb拓扑绝缘体在权利要求书中公布了：1.一种自旋轨道转矩SOT磁隧道结MTJ器件，包括： 衬底； 衬底上方的种子层，所述种子层包括： 硅化物层，所述硅化物层包含选自由NiSi、NiFeSi、NiFeTaSi、NiCuSi、NiCoSi、CoSi、CoFeSi、CoFeTaSi、CoCuSi以及它们的组合组成的组的材料；和 表面控制层，所述表面控制层包含选自由NiFe、NiFeTa、NiTa、NiW、NiFeW、NiCu、NiCuM、NiFeCu、CoTa、CoFeTa、NiCoTa、Co、CoM、CoNiM、CoNi、NiSi、CoSi、NiCoSi、Cu、CuAgM、CuM以及它们的组合组成的组的材料，其中M选自由Fe、Cu、Co、Ta、Ag、Ni、Mn、Cr、V、Ti和Si组成的组；以及 所述种子层上的铋锑层，所述铋锑层具有012取向；并且 其中所述表面控制层位于所述硅化物层和所述铋锑层之间。

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