芯恩(青岛)集成电路有限公司孟昭生获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种铜互连层及铜互连层大马士革工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725007B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110005987.6，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权一种铜互连层及铜互连层大马士革工艺方法是由孟昭生;吴荘荘;季明华设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铜互连层及铜互连层大马士革工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种铜互连层及铜互连层大马士革工艺方法。形成铜互连线的通孔及沟槽的侧壁和底部形成有阻挡层，该阻挡层包含金属晶体粘附层或者包含石墨烯层。金属晶体粘附层可以晶体Co层或者晶体Ru层或者晶体Os层。金属晶体粘附层能够增强与Cu的粘附性，有效抑制Cu向介质层中扩散，有利于提高Cu的电子迁移性能。上述金属晶体粘附层的形成能够有效减小阻挡层和第一阻挡层的总体厚度，有效降低通孔电阻。石墨烯层为无定型碳石墨烯复合层。由于石墨烯层的形成，使得Cu互连层具有更低的电阻率石墨烯层的形成同样能够有效减小阻挡层或者阻挡层和第一阻挡层的总体厚度，有效降低通孔电阻。
本发明授权一种铜互连层及铜互连层大马士革工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种铜互连层大马士革工艺方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成介质层； 在所述介质层中形成通孔及沟槽； 在所述通孔的侧壁及底部以及所述沟槽的侧壁和底部形成阻挡层，所述阻挡层包含金属晶体粘附层、第一阻挡层及无定型金属衬垫层，所述无定型金属衬垫层位于所述金属晶体粘附层与所述第一阻挡层之间，或者位于所述金属晶体粘附层与所述通孔及沟槽中的铜互连线之间，所述金属晶体粘附层为晶体Co层或者晶体Ru层或者晶体Os层，所述无定型金属衬垫层为无定型Co层或者无定型Ru层或者无定型Os层，并且所述金属晶体粘附层与所述无定型金属衬垫层具有相同的金属元素； 在所述通孔及沟槽中填充铜，形成铜互连层。
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