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龙图腾网获悉东莞新科技术研究开发有限公司申请的专利一种半导体的粘接方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011596162.8，技术领域涉及：H10P34/42；该发明授权一种半导体的粘接方法是由张俊群设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体的粘接方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体的粘接方法，包括：将半导体加载在真空室内的夹具上，并向真空室内持续通入氮气；其中，夹具的温度稳定在80℃～120℃，氮气的流量为2.5Lmin～5.0Lmin；通过激光发射装置对半导体进行第一次粘接处理；其中，激光发射装置的第一工作电压为2.5V～3.5V，第一工作时间为1.5S～2.0S；通过激光发射装置对半导体进行第二次粘接处理；其中，激光发射装置的第二工作电压小于第一工作电压，且第二工作电压为2.0V～3.0V，第二工作时间为0.2S～0.3S；通过激光发射装置对半导体进行第三次粘接处理；其中，激光发射装置的第三工作电压小于1.2V，第三工作时间为0.2S。采用本发明的技术方案能够在粘接时使得半导体逐步冷却，避免半导体损伤，从而提高产品质量。

本发明授权一种半导体的粘接方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体的粘接方法，其特征在于，包括： 将半导体加载在真空室内的夹具上，并向真空室内持续通入氮气；其中，夹具的温度稳定在80℃~120℃，氮气的流量为2.5Lmin~5.0Lmin； 通过激光发射装置对半导体进行第一次粘接处理；其中，激光发射装置的第一工作电压为2.5V~3.5V，第一工作时间为1.5S~2.0S； 通过激光发射装置对半导体进行第二次粘接处理；其中，激光发射装置的第二工作电压小于第一工作电压，且第二工作电压为2.0V~3.0V，第二工作时间为0.2S~0.3S； 通过激光发射装置对半导体进行第三次粘接处理；其中，激光发射装置的第三工作电压小于1.2V，第三工作时间为0.2S； 其中，激光发射装置用于对半导体进行加热，以完成粘接处理过程，粘接处理过程分为三步进行，且三步之间没有时间间隔，第一步为第一次粘接处理，第二步为第二次粘接处理，第三步为第三次粘接处理。

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