长电集成电路(绍兴)有限公司李宗怿获国家专利权
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龙图腾网获悉长电集成电路(绍兴)有限公司申请的专利具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210229264.9，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构及其制备方法是由李宗怿;丁晓春;刘籽余;倪洽凯;柳坤;何佳奕;曾丹;王嘉炜设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构，包括交替堆叠的N个布线层和N‑1个包封层，每个所述布线层中设有金属平面，每个所述包封层中设有芯片以及围绕所述芯片的金属侧壁，每个所述包封层中的金属侧壁与相邻两个布线层中的金属平面封闭连接以封闭所述包封层中的芯片。本发明还公开了一种具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构的制备方法。本发明解决了三维堆叠结构中芯片的电磁干扰问题和信号串扰问题，还提升了三维堆叠结构的散热效果。
本发明授权具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构，其特征在于，包括交替堆叠的N个布线层和N-1个包封层，每个所述布线层中设有金属平面，每个所述包封层中设有芯片以及围绕所述芯片的金属侧壁，每个所述包封层中的金属侧壁与相邻两个布线层中的金属平面封闭连接以封闭所述包封层中的芯片； 所述芯片包括位于其底部的互联柱，所述互联柱与所述芯片底部一侧的布线层中的金属平面电连接；所述互联柱可通过设置在所述布线层上的焊盘与所述金属平面连接； 至少有一个所述芯片包括位于其顶部的导电柱，所述芯片还包括连通所述互联柱与所述导电柱的连通结构，所述导电柱与所述芯片顶部一侧的布线层中的金属平面电连接；所述连通结构为TSV导电柱。
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