TDK株式会社盐川阳平获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁记录阵列和储备池元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080075225.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁记录阵列和储备池元件是由盐川阳平设计研发完成，并于2020-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁记录阵列和储备池元件在说明书摘要公布了：本实施方式的磁记录阵列200包括：多个自旋元件100，其各自具有配线20和层叠于所述配线上的包含第1铁磁性层1的层叠体10，且呈矩阵状排列；多个写入配线Wp1‑Wpn，其与所述多个自旋元件各自的所述配线的第1端连接；多个读取配线Rp1‑Rpn，其与所述多个自旋元件各自的所述层叠体连接；以及多个共用配线Cm1‑Cmn，其与属于相同列的各个自旋元件的所述配线的第2端连接，所述共用配线的电阻比所述写入配线或所述读取配线低。
本发明授权磁记录阵列和储备池元件在权利要求书中公布了：1.一种磁记录阵列，其中， 具备： 多个自旋元件，其各自具有配线和层叠于所述配线上的包含第1铁磁性层的层叠体，且呈矩阵状地排列； 多个写入配线，其与所述多个自旋元件各自的所述配线的第1端连接； 多个读取配线，其与所述多个自旋元件各自的所述层叠体连接；以及 多个共用配线，其与属于相同列的各个自旋元件的所述配线的第2端连接， 所述共用配线的电阻比所述写入配线或所述读取配线低， 所述共用配线的电阻比所述写入配线和所述读取配线低，所述读取配线的电阻比所述写入配线低。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TDK株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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