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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片和制造集成芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210026168.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成芯片和制造集成芯片的方法是由蒋昕志;林东阳;柳瑞兴;雷明达设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成芯片和制造集成芯片的方法在说明书摘要公布了：本发明的各个实施例针对集成芯片。集成芯片包括：半导体衬底，具有位于处理衬底上面的器件衬底以及设置在器件衬底和处理衬底之间的绝缘层。栅电极位于漏极区域和源极区域之间的器件衬底上面。导电通孔延伸穿过器件衬底和绝缘层以接触处理衬底。第一隔离结构设置在器件衬底内并且包括横向设置在栅电极和导电通孔之间的第一隔离段。接触区域设置在第一隔离段和导电通孔之间的器件衬底内。导电栅电极直接位于第一隔离段上面并且电耦接至接触区域。本申请的实施例还涉及制造集成芯片的方法。

本发明授权集成芯片和制造集成芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括： 半导体衬底，包括位于处理衬底上面的器件衬底以及设置在所述器件衬底和所述处理衬底之间的绝缘层； 栅电极，位于漏极区域和源极区域之间的所述器件衬底上面； 导电通孔，延伸穿过所述器件衬底和所述绝缘层以接触所述处理衬底； 第一隔离结构，设置在所述器件衬底内并且包括横向设置在所述栅电极和所述导电通孔之间的第一隔离段； 接触区域，设置在所述第一隔离段和所述导电通孔之间的所述器件衬底内；以及 导电栅电极，直接位于所述第一隔离段上面； 第一阱区域，设置在所述器件衬底内； 第二阱区域，设置在所述器件衬底内并且在第一界面处邻接所述第一阱区域； 第三阱区域，设置在所述器件衬底内并且在第二界面处邻接所述第二阱区域， 其中，所述栅电极直接位于所述第一阱区域和所述第二阱区域之间的第一界面上面，所述导电栅电极位于所述第二阱区域和所述第三阱区域之间的第二界面上面，所述漏极区域设置在所述第二阱区域内，所述源极区域设置在所述第一阱区域内，并且所述接触区域设置在所述第三阱区域内，从而使得所述导电栅电极经由接触区域电耦接至所述第三阱区域，其中，P-N结二极管结构存在于所述第二阱区域和所述第三阱区域之间，其中，所述P-N结二极管结构促进电荷载流子从所述第二阱区域转移至所述接触区域和或所述导电栅电极。

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