中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011133059.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一器件结构，包括第一衬底、以及形成于第一衬底上的第一器件，第一器件包括位于第一衬底上的第一沟道层结构、横跨第一沟道层结构的第一器件栅极结构、以及位于第一器件栅极结构两侧的第一沟道层结构内的第一源漏掺杂区；位于第一器件结构正面的第二器件结构，包括位于第一器件结构上的第二衬底、以及形成于第二衬底上的第二器件，第二器件包括位于第二衬底上的第二沟道层结构、横跨第二沟道层结构的第二器件栅极结构、以及位于第二器件栅极结构两侧的第二沟道层结构内的第二源漏掺杂区；第二沟道层结构和第一沟道层结构在第一衬底上的投影非垂直相交。本发明能够实现第一器件的电性引出。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一器件结构，包括第一衬底、以及形成于所述第一衬底上的第一器件，所述第一器件包括位于所述第一衬底上的第一沟道层结构、横跨所述第一沟道层结构的第一器件栅极结构、以及位于所述第一器件栅极结构两侧的所述第一沟道层结构内的第一源漏掺杂区，所述第一器件结构中靠近所述第一器件栅极结构顶部的面为正面； 位于所述第一器件结构的正面的第二器件结构，包括位于所述第一器件结构上的第二衬底、以及形成于所述第二衬底上的第二器件，所述第二器件包括位于所述第二衬底上的第二沟道层结构、横跨所述第二沟道层结构的第二器件栅极结构、以及位于所述第二器件栅极结构两侧的所述第二沟道层结构内的第二源漏掺杂区； 其中，所述第二沟道层结构和所述第一沟道层结构在所述第一衬底上的投影非垂直相交。
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